三星电子：计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片

　　导读：三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元（1160亿美元），星电芯片以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器（非内存芯片研发和生产基础设施）方面在全球的计划领先地位，加快对全球半导体行业的未年控制。



　　4月25日，投资据彭博社消息，亿美元研三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元（1160亿美元），发非以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器（非内存芯片研发和生产基础设施）方面在全球的内存领先地位，加快对全球半导体行业的星电芯片控制。三星目前在从服务器到智能手机的计划存储芯片市场处于领先地位，它计划在2030年前加大对半导体的未年投资，创造15000个生产和研究工作岗位。投资

　　今年3月，亿美元研三星公布第三季度的发非营业利润下降了60%。这至少部分与DRAM和NAND内存的内存价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。因此三星准备投入巨资1160亿美元，星电芯片以确保其为下一代芯片的发展做好准备，其中国内研发投入约640亿美元，生产基础设施投入520亿美元。三星在一份声明中说：“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标。”

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